美光推出第三代减少延迟的DRAM内存
2010-07-02小烈MCPLive.cn
为了达到更快更有效的数据传输，美光透露该公司正在研发新一代减少延迟的DRAM (RLDRAM)内存芯片，主要用于更高性能的网络应用。
升级版RLDRAM有512Mb和1Gb两种，工作电压1.2V或1.35V，高传输速度可达2133 Mb/s。
预计美光的RLDRAM 3内存将在2011年上半年开始试产。
为了达到更快更有效的数据传输，美光透露该公司正在研发新一代减少延迟的DRAM (RLDRAM)内存芯片，主要用于更高性能的网络应用。
升级版RLDRAM有512Mb和1Gb两种，工作电压1.2V或1.35V，高传输速度可达2133 Mb/s。
预计美光的RLDRAM 3内存将在2011年上半年开始试产。
